محتویات سبد
(خالی)

پرداخت >>
صفحه اصلی ثبت نام انتقال وجه اینترنتی راهنمای خرید دانلود کسب درآمد توسط تحقیق سرا پروژه های رایگان لیست کامل آرشیو سایت اقلام موجود تماس با ما

iT فـنـاوری اطـلاعـات
فیزیک,ریاضی و آمار
مـهندسی شیـمی,شیمی,پـالایش
پروژه و پایان نامه
مقاله فارسی
کارآموزی
پروپوزال
مقاله انگلیسی
مقاله انگلیسی با ترجمه
پاورپوینت
مقالات رایگان
مـدیــریـت
مهندسی پزشکی ,پزشـکـی,بـهداشـت
مهندسی آب , توسعه
مهندسی صنایع,صنعت,نساجی
مکانیک,هوافضا,متالوژی,نانو
محیط زیست,نیروگاه,انـرژی
نـفت , گـاز , پتروشیمی
هنـر,گرافیک,بازیگری
کامپیوتر , شبکه
کشاورزی,امور دامی,طیور
پروژه مالی رشته حسابداری
پروژه کارآفرینی ، طرح توجیهی
پروژه آماده برنامه نویسی
بـرق,الکتـرونیک,مخـابرات
تــاریــخ,جــــغرافـیـا
تـربیـت بـدنـی,ورزش
حــقـــوق,فــقـه
حسابـداری,اقتـصـاد
خودرو سازی
دینـی,اخـلاق,فـلسفـه
روانـشناسی,علوم تـربیتی
رشته صنایع غذائی
زمـیـن شنـاسی,مـعـدن
زیست شناسی
زبـان,ادبیــات
علـوم اجتمـاعی,مشـاوره
علـوم سیـاسی,بیـن الملـل
عمران,معماری,شهرسازی
روابط عمومی ، ارتباطات

پشتیبانی سایت( پورهادی )

09337343220

ساعات پاسخگوئی

8:30 الی 15:00 ، 16:00 الی 22:30

سامانه پیام کوتاه

1293 2040 5000


آخرین به روز رسانی: آبان ماه 1396


برای جستجو بین محصولات کلمات کلیدی پروژه مورد نظر خود را در قسمت جستجو بین موضوعات موجود در سمت چپ سایت نوشته و جستجو فرمایید.


جهت کسب درآمد از طریق تحقیق سرا این لینک را مشاهده فرمایید.



صفحه اصلی / مـهندسی شیـمی,شیمی,پـالایش / پروژه و پایان نامه
نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ

عنوان محصول :

مشخصات تحرک وابسته به میدان گاز الکترون دو بعدی در برهمکنش با فونونها


امتیاز به این محصول
عالی
خوب
متوسط
ضعیف
خیلی بد

(تعداد رای: 40)

نظرات کاربران (0 پست)

در صورتی که مایل به خرید این محصول هستید ابتدا باید آن را به سبد خرید اضافه کنید

# این محصول به صورت فایل می باشد و پس از پرداخت موفق توسط شما لینک دانلود به ایمیل شما ارسال میگردد .
# در صورتی که دارای ایمیل شخصی نمیباشید لینک دانلود در قسمت دانلود فروشگاه قرار میگیرد .
# این محصول پس از پرداخت موفق طی حداقل 30 دقیقه و حداکثر 10 ساعت آینده طبق فهرست ذیل ارسال میگردد .
قیمت: ۱۰,۰۰۰ تومان
موجود در انبار: بله

تعداد صفحات: 90 صفحه
نوع فایل ارسالی:

فهرست

پیشگفتار 1
فصل اول: ترابرد حامل ها
مقدمه 6
1-1 ساختار نوار رسانش سیلیسیوم 7
1-1-1 ساختار نواری (100)SI در لایه وارونی 8
1-2 گاز الکترون دو بعدی 9
1-3 چاه کوانتومی 11
1-4 ترابرد حامل 12
1-5 تحرک پذیری حامل 13
1-5-1 خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان های ضعیف 14
1-5-2 خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان های خیلی بالا

فصل دوم: فرمول بندی تحرک در میدانهای متوسط در نیم رساناهای چند لایه ای
مقدمه 27
2-1 تاریخچه ای از مطالعات انجام شده بر روی خصوصیات ترابرد2DEG در دماهای پایین 28
2-2 ویژگی های ترابرد در دماهای پایین شبکه 29
2-3 احتمال پراکندگی فونون اکوستیکی درون دره ای 30
2-4 محاسبه تحرک وابسته به میدان 34
2-4-1 خصوصیات تحرک میدان ضعیف در تقریب دمای مؤثر 34
2-4-2 فرمول بندی تحرک میدان ضعیف با استفاده از معادله ی بولتزمن

فصل سوم: نتایج و محاسبات
مقدمه 47
3-1 محاسبه تغییرات تحرک پذیری با فرض دمای مؤثر وابسته به میدان الکترون های غیر تعادلی 48
3-1-1 نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در دماهای مختلف شبکه 48
3-1-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه 51
3-1-3 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجارشده نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه 53
3-1-4 نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در غلظت های مختلف 55
3-1-5 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های مختلف الکترونی 58
3-1-6 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های الکترونی مختلف 59
3-2 محاسبه تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی 61
3-2-1 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان در دماهای شبکه مختلف 61
3-2-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در دماهای مختلف شبکه 63
3-2-3 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان در غلظت های الکترونی مختلف 64
3-2-4 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در غلظت های الکترونی مختلف 66
3-3 محاسبه تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی از حل معادله بولتزمن به روش عددی 67
3-3-1 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه 68
3-3-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های الکترونی مختلف 69
3-4 مقایسه نتیجه تجربی با نتیجه از حاصل از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی 71
3-5 بحث و نتیجه گیری 72
مراجع 75

 

فهرست شکل ها
شکل (1-1-الف): ساختار نوار رسانش Si 7
شکل (1-1-ب): سطح ثابت انرژی نوار رسانش Si با شش دره در جهت [100] در فضای ممنتم 8
شکل(1-2): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در مادفت ها 10
شکل (1-3): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در ماسفت ها 10
شکل (1-4): چاه کوانتومی منفرد 11
شکل (1-5): تحرک وابسته به دما در میدان های ضعیف 18
شکل (1-6):مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حاملهای غیر تعادلی در دماهای شبکه 13، 25، 40، 60، 77 و 100 کلوین در ناحیهی میدان خیلی بالا نمونه Si. 22
شکل (1-7): تحرک بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی بهنجار شده برای نمونه Si در دمای شبکه 13. خط پر تحرک محاسبه شده به وسیله ی لی و تینگ و نقاط مربوط به تحرک تجربی است 23
شکل (1-8): مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حامل غیر تعادلی در دمای شبکه 2/4 کلوین در ناحیه میدان قوی 24
شکل (2-1): وابستگی سرعت پراکندگی به انرژی حامل در دماهای شبکه متفاوت برای یک 2DEG در لایه(100) Si با . منحنی های a و b و c به ترتیب در دماهای 1و4و20 می باشند . 33
شکل (3-1): نمایی از نمونه به کار گرفته شده برای انجام محاسبات 48
شکل(3-2): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) 49
شکل (3-3): نمودار تغییرات میدان بر حسب دمای الکترون در Si(4) 49
شکل(3-4): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(2) 50
شکل(3-5): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(4) 50
شکل(3-6): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 52
شکل (3-7): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 52
شکل (3-8): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 53
شکل (3-9): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 54
شکل(3-10): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) 56
شکل(3-11): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(4) 56
شکل(3-12): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب دمای الکترون در Si(2) 57
شکل(3-13): نمودار تغییرات تحرک بر حسب دمای الکترون در Si(4) 57
شکل (3-14): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 58
شکل (3-15): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 59
شکل(3-16): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 60
شکل(3-17): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 60
شکل (3-18): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 62
شکل (3-19): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 62
شکل (3-20): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی درSi(2) 63
شکل(3-21): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 64
شکل (3-22): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 65
شکل (3-23): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 65
شکل(3-24): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 66
شکل(3-25): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 67
شکل (3-26): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 68
شکل (3-27): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 69
شکل (3-28): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 70
شکل (3-29): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 71
شکل(3-30): مقایسه مدل نظری با مدل تجربی. خط پر نتیجه حاصل از تئوری و نقاط توخالی نتیجه حاصل از تجربه در دمای K 13. 72

آیا در رابطه با مشخصات تحرک وابسته به میدان گاز الکترون دو بعدی در برهمکنش با فونونها سوالی دارید؟

برای کسب اطلاعات بیشتر از فرم زیر استفاده نمایید.

نام شما:

پست الکترونیک:

لطفا دقیقا مشخص نمایید در مورد محصول چه اطلاعاتی می خواهید مشخصات تحرک وابسته به میدان گاز الکترون دو بعدی در برهمکنش با فونونها:

 
شناسه
رمز عبور
فراموشی رمز

 برای دریافت محصول ابتدا در سایت ثبت نام کنید


پرداخت آنلاین سايت تحقيق سرا توسط

انجام میشود .

 پذیرنده کلیه عابربانکهای بانکی کشور







 



تمام حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به فروشگاه تحقیق سرا میباشد 

Designed by "Peyman Pourhadi"